温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种带原位氮化硅层的低导通电阻型GaN基器件及制作方法，方法包括：在包括衬底层、成核层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层和GaN帽层的外延基片上利用MOCVD沉积原位氮化硅层；在氮化硅层上刻蚀向下延伸至沟道区的凹槽；在凹槽中生长重掺...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。