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本发明公开一种适用于GaN驱动芯片的自适应死区时间控制电路，属于开关电源领域。通过实时检测开关节点SW的电压变化情况，产生控制信号，对高侧或低侧输入控制信号进行延迟，即在开关节点SW下降沿处，通过对低侧输入控制信号进行延迟，在开关节点SW上...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十八研究所授权不得商用。

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