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一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:提供初始衬底;形成衬底和位于所述衬底上的且沿第一方向排布的若干有源区,所述第一方向平行于衬底表面,各所述有源区包括第一区以及分别位于所述第一区两侧的第二区,所述第一区和第二区沿第一方向排布,且所述第...该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:提供初始衬底;形成衬底和位于所述衬底上的且沿第一方向排布的若干有源区,所述第一方向平行于衬底表面,各所述有源区包括第一区以及分别位于所述第一区两侧的第二区,所述第一区和第二区沿第一方向排布,且所述第...