下载可分离多层GaN衬底及其分离方法、半导体芯片制作方法的技术资料

文档序号:33085115

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种可分离多层GaN衬底的分离方法,将可分离多层GaN衬底浸入腐蚀液中,使氮化物牺牲层浸没于所述腐蚀液中;提供一光源,该光源向可分离多层GaN衬底照射一光束,所述光束透过所述GaN基层在所述氮化物牺牲层上形成光斑;移动光斑,使得...
该专利属于苏州纳维科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过苏州纳维科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。