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可分离多层GaN衬底及其分离方法、半导体芯片制作方法技术
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文档序号:33085115
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本发明公开了一种可分离多层GaN衬底的分离方法,将可分离多层GaN衬底浸入腐蚀液中,使氮化物牺牲层浸没于所述腐蚀液中;提供一光源,该光源向可分离多层GaN衬底照射一光束,所述光束透过所述GaN基层在所述氮化物牺牲层上形成光斑;移动光斑,使得...
该专利属于苏州纳维科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过苏州纳维科技有限公司授权不得商用。
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