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本发明提供一种GOI测试电路结构，包括形成于一衬底内的多个呈条状且平行设置的AA区，相邻的AA区之间形成有STI，衬底上依次形成有栅氧化层、多晶硅栅极和多个计数结构，所有计数结构平行设置，每个计数结构对应设置在一个STI上方，每个计数结构靠...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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