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有高K金属栅极的嵌入式SONOS和高压选择栅极及其制造方法技术
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下载有高K金属栅极的嵌入式SONOS和高压选择栅极及其制造方法的技术资料
文档序号:33070134
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提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以具有存储器阵列,该存储器阵列具有各自包括非易失性存储器(NVM)晶体管和作为选择晶体管的高压(HV)场效应晶体管(FET)的双晶体管(2T)存储器单元。所述器件还包括逻辑区,其中,HV FET、输...
该专利属于英飞凌科技有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过英飞凌科技有限责任公司授权不得商用。
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