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本申请公开了一种具有导电DBR结构的GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)及其制备方法。所述VCSEL包括第一、第二半导体层和设置在该两者之间的有源层，所述第一、第二半导体层分别与第一、第二DBR结构连接，所述第二DBR结构为导电DBR结...
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