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本发明属于半导体技术领域，更具体地，涉及一种纵向结构氮化镓功率晶体管的制备方法。通过选择区域外延，同时形成深槽p阱屏蔽层和凹槽结构，能够有效降低栅氧化层电场，避免了高氧化层电场带来的器件可靠性问题，同时避免了干法刻蚀带来的凹槽的损伤和界面态...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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