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本发明公开了一种低关断电流拖尾的超级结IGBT及其制作方法。所述超级结IGBT包括集电区、漂移区、外延层和阱区；漂移区内分布有超级结结构，超级结结构包含柱状结构；阱区上部形成有发射极，外延层和阱区内分布有栅极，每一发射极环绕相应的一个栅极的...
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