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本发明公开了一种场发射器件结构的制造方法及场发射器件结构。该方法包括：提供作为阴极材料的N型单晶硅片；在N型单晶硅片的上表面形成图案化的光刻胶层，光刻胶层包括多个彼此间隔且呈阵列排布的光刻胶遮盖单元；对光刻胶层暴露出的待刻蚀区域进行等离子体...
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