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本发明涉及一种钝化接触电池及其制备方法和钝化接触结构及其制备装置。该制备方法包括：S1、对硅片进行预处理，以在硅片表面形成介质层；S2、将硅片放入设置有靶材的PVD工艺腔中，并在PVD工艺腔内通入气体，以在介质层上制备掺杂非晶硅层；其中，靶...
该专利属于泰州中来光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过泰州中来光电科技有限公司授权不得商用。

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