钝化接触电池及其制备方法和钝化接触结构及其制备装置制造方法及图纸

技术编号:33016430 阅读:54 留言:0更新日期:2022-04-15 08:48
本发明专利技术涉及一种钝化接触电池及其制备方法和钝化接触结构及其制备装置。该制备方法包括:S1、对硅片进行预处理,以在硅片表面形成介质层;S2、将硅片放入设置有靶材的PVD工艺腔中,并在PVD工艺腔内通入气体,以在介质层上制备掺杂非晶硅层;其中,靶材的个数为n,n≥2,n个靶材中至多存在一个不含掺杂源的靶材,其余靶材均为含掺杂源靶材,每个含掺杂源靶材的掺杂源浓度各不相同;靶材从工艺腔的炉口到炉尾沿着硅片的前进方向依次排放;掺杂非晶硅层为至少包含两层掺杂非晶硅层的复合掺杂非晶硅层,两层掺杂非晶硅层的掺杂浓度不同;S3、对硅片进行退火处理,以激活掺杂非晶硅层,形成多晶硅层;S4、对硅片进行后处理,完成电池片的制备。备。备。

【技术实现步骤摘要】
钝化接触电池及其制备方法和钝化接触结构及其制备装置


[0001]本专利技术涉及电池
,具体涉及一种钝化接触电池及其制备方法和钝化接触结构及其制备装置。

技术介绍

[0002]由于晶体硅电池硅片厚度的不断降低,且对于一定厚度的电池片而言,当少数载流子的扩散长度大于硅片厚度时,表面的复合速率对电池的效率影响特别明显。因此现行的技术多是对晶体硅表面进行钝化处理。目前比较主流的钝化技术是在电池正背面沉积氮化硅钝化膜,改善复合问题。一种较为先进的技术是采用隧穿氧化层钝化接触技术(TOPCon);钝化隧穿技术采用n型硅片作为基底,在硅片表面先沉积一层隧穿层;然后再覆盖一层薄膜硅层;从而形成隧穿氧化层钝化接触。隧穿氧化层钝化技术能在电极与基底之间形成隧穿薄膜,隔绝金属电极与基底接触,减少接触复合损失,因此电池的开路电压可以做到很高,并且电子能隧穿薄膜不会影响电流传递。
[0003]目前制备该隧穿钝化接触结构的方法大部分为CVD法(化学气相沉积),工艺过程中反应气体会沿衬底表面分散,可侵入衬底正面,形成所谓的绕镀,严重影响电池成品的外观。同时,绕本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钝化接触电池的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:S1、对硅片进行预处理,以在硅片表面形成介质层;S2、将硅片放入设置有靶材的PVD工艺腔中,并在所述PVD工艺腔内通入气体,以在所述介质层上制备掺杂非晶硅层;其中,所述靶材的个数为n,n≥2,所述n个靶材中至多存在一个不含掺杂源的靶材,其余靶材均为含掺杂源靶材,每个含掺杂源靶材的掺杂源浓度各不相同;所述靶材从工艺腔的炉口到炉尾沿着硅片的前进方向依次排放;所述掺杂非晶硅层为至少包含两层掺杂非晶硅层的复合掺杂非晶硅层,所述两层掺杂非晶硅层的掺杂浓度不同;S3、对硅片进行退火处理,以激活所述掺杂非晶硅层,形成多晶硅层;S4、对硅片进行后处理,完成电池片的制备。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在步骤S2中,所述PVD工艺腔内的气体至少包含氩气和/或氦气。3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,在步骤S2中,PVD工艺腔的温度不大于350℃;掺杂非晶硅层的厚度为50-350nm。4.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:杜哲仁马丽敏陈嘉季根华乔振聪林建伟
申请(专利权)人:泰州中来光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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