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本申请涉及一种二极管的制备方法及半导体器件。该方法包括：提供衬底，在衬底的正面和背面分别生长第一氧化层；通过干法刻蚀的方式刻蚀掉衬底正面的部分第一氧化层；对衬底的正面以及第一氧化层的正面和侧面进行离子注入，生成第一掺杂区；对衬底的正面和背面...
该专利属于北海惠科半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北海惠科半导体科技有限公司授权不得商用。

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