温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明揭示了一种外延结构、外延生长方法及光电器件，所述外延结构由下向上依次包括图形化硅衬底、低温成核层、位错过滤缓冲层及大失配外延层，其中：所述位错过滤缓冲层包括高温缓冲层及位于高温缓冲层上的若干周期交替分布的对超晶格位错过滤层和缓冲层，所...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。