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本申请提供了一种三维存储器及其制备方法和三维存储器系统，三维存储器包括：堆叠层、下沟道牺牲结构和第一虚拟沟道结构，堆叠层位于半导体层上且包括：台阶部；核心部，位于所述台阶部的相对两侧；以及堆叠墙，桥接所述核心部且连接所述台阶部的靠近所述半导...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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