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本发明提出一种包覆式多量子阱NLED阵列结构及其制作方法，提供的方案包括透明电极层，图案化处理的第一型半导体层、多量子阱层和具有表面微结构的第二型半导体层、二氧化硅保护层、具有高反射性质的金属电极层；其中，多量子阱层在第一型半导体层的圆台型...
该专利属于福州大学所有，仅供学习研究参考，未经过福州大学授权不得商用。

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