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本发明提供了一种双面Si基AlGaN探测器及其制备方法。上述双面Si基AlGaN探测器包括Si基衬底、缓冲层、AlGaN非掺杂层、BOX掩埋层、顶层Si基薄膜层、第一电极和第二电极。通过缓冲层，改善了AlGaN探测器结构及Si探测器结构的结...
该专利属于武汉锐科光纤激光技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉锐科光纤激光技术股份有限公司授权不得商用。

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