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本发明公开一种掺杂碳化硅薄膜表面制备电极实现掺杂碳化硅薄膜方阻测试方法，该方法通过在碳化硅薄膜表面形成独立的欧姆接触电极，探针通过电极测试薄膜的方阻，解决了掺杂碳化硅薄膜与金属探针难以形成欧姆接触的问题。题。题。
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该专利属于浙江大学杭州国际科创中心所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学杭州国际科创中心授权不得商用。

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