一种掺杂碳化硅薄膜方阻测试方法技术

本发明专利技术公开一种掺杂碳化硅薄膜表面制备电极实现掺杂碳化硅薄膜方阻测试方法，该方法通过在碳化硅薄膜表面形成独立的欧姆接触电极，探针通过电极测试薄膜的方阻，解决了掺杂碳化硅薄膜与金属探针难以形成欧姆接触的问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
一种掺杂碳化硅薄膜方阻测试方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种掺杂碳化硅薄膜表面制备电极实现掺杂碳化硅薄膜方阻测试方法。

技术介绍

[0002]SiC晶体材料质地坚硬，禁带宽度大，与金属不易形成良好的欧姆接触，而常用测试设备主要通过金属探针直接与材料接触的方式实现，这使得碳化硅材料在膜层参数测试时受到局限。本专利技术通过将方阻测试的探针结构转移至衬底上预先形成欧姆接触电极，再通过探针和电极相连，解决了金属探针和碳化硅材料的接触难题。

技术实现思路
：
[0003]为了解决上述现有技术的一个或多个技术问题，本专利技术提出一种掺杂碳化硅薄膜表面制备电极实现掺杂碳化硅薄膜方阻测试方法，其特征在于：在碳化硅薄膜上制备金属电极，所述金属电极包括第一电极P1、第二电极P2、第三电极P3和第四电极P4，各金属电极电极之间的距离d均为1mm，并通过高温退火形成欧姆接触。如图2所示，测试探针与各金属电极相连，在第一电极P1和第四电极P4之间形成电流场，检测第二电极P2和第三电极P3之间的电势差。即可，计算得方阻值。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掺杂碳化硅薄膜方阻测试方法，其特征是：在碳化硅薄膜上制备金属电极，所述金属电极包括第一电极、第二电极、第三电极和第四电极，各金属电极之间的距离均为1mm，通过高温退火形成欧姆接触，测试探针与各金属电极相连，在第一电极和第四电极之间形成电流场，检测第二电极和第三电极之间的电势差，计算得方阻值。2.如权利要求1所术的掺杂碳化硅薄膜方阻测试方法，其特征在于：金属电极和碳化硅薄膜之间经过高温退火形成欧...

【专利技术属性】
技术研发人员：盛况，冉飞荣，任娜，王珩宇，
申请(专利权)人：浙江大学杭州国际科创中心，
类型：发明
国别省市：