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本发明提供一种对准标记的制作方法及半导体器件的制作方法，提供相键合的上层晶圆和下层晶圆，上层晶圆靠近下层晶圆的一面和/或下层晶圆靠近上层晶圆的一面形成有第一光刻标识图形；形成第二光刻标识图形于上层晶圆的远离下层晶圆的一面；采用一量测机台识别...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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