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本发明公开了一种氮化铜粉体制备方法,包括:构建至少一层支撑层和设于所述支撑层上的至少一层牺牲层,牺牲层被配置为可通过外界条件改变而改性;在所述牺牲层上培育薄膜并使其生长;改变外界条件使所述牺牲层改性并得到单独薄膜;对得到的单独薄膜进行清洗并...该专利属于电子科技大学长三角研究院(湖州)所有,仅供学习研究参考,未经过电子科技大学长三角研究院(湖州)授权不得商用。
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本发明公开了一种氮化铜粉体制备方法,包括:构建至少一层支撑层和设于所述支撑层上的至少一层牺牲层,牺牲层被配置为可通过外界条件改变而改性;在所述牺牲层上培育薄膜并使其生长;改变外界条件使所述牺牲层改性并得到单独薄膜;对得到的单独薄膜进行清洗并...