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本发明公开了一种光电化学适配传感器及其制备方法和检测DBP方法，所述光电化学适配传感器包括导电基底、固定在导电基底上的含有钙钛矿相的CTAB@CH3NH3PbI3层、覆盖在CTAB@CH3NH3PbI3层上的适配体ATP层。其中CTAB通过...
该专利属于扬州大学所有，仅供学习研究参考，未经过扬州大学授权不得商用。

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