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一种光电化学适配传感器及其制备方法和检测DBP方法技术

技术编号:32905200 阅读:28 留言:0更新日期:2022-04-07 11:55
本发明专利技术公开了一种光电化学适配传感器及其制备方法和检测DBP方法,所述光电化学适配传感器包括导电基底、固定在导电基底上的含有钙钛矿相的CTAB@CH3NH3PbI3层、覆盖在CTAB@CH3NH3PbI3层上的适配体ATP层。其中CTAB通过形成保护层并钝化CH3NH3PbI3的X

【技术实现步骤摘要】
一种光电化学适配传感器及其制备方法和检测DBP方法


[0001]本专利技术涉及一种光电化学领域
,尤其涉及一种光电化学适配传感器及其制备方法和检测DBP的方法。

技术介绍

[0002]邻苯二甲酸二丁酯(DBP)因其较好的胶凝能力和粘结性而被广泛应用于邻苯二甲酸酯类增塑剂中。然而,DBP很容易从塑料制品表面转移到环境中,因为DBP与塑料基材之间的相互作用是氢键和范德华力而不是共价键。研究报告称,邻苯二甲酸酯的广泛使用和永久排放导致其在食品中的累积超过国家标准。DBP作为典型的新兴有机污染物,进入人体后,可能扰乱内分泌,影响肝脏和泌尿系统,增加人类心血管疾病风险。DBP对生态系统和公众健康的潜在和不利影响引起了人们越来越多的关注,需要开发简单、高效、低成本、易于操作和可靠的方法来持续有效地监测DBP的残留量。
[0003]近年来,简单新颖的光电化学的(PEC)传感器被开发用于检测环境和生物样品中的各种化学成分和生物分子。PEC传感器具有光学和电化学分析的特点,成本低,响应快,灵敏度高,背景降低,制备工艺简单。为了提高PEC的选择性,识本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电化学适配传感器,其特征在于,包括导电基底、固定在导电基底上的含有钙钛矿相的CTAB@CH3NH3PbI3层、覆盖在CTAB@CH3NH3PbI3层上的适配体ATP层。2.根据权利要求1所述的光电化学适配传感器,其特征在于,导电基底为ITO导电玻璃。3.根据权利要求1所述的光电化学适配传感器,其特征在于,适配体ATP的序列如SEQ No.1所示。4.一种根据权利要求1

3任一所述的光电化学适配传感器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)对导电基底预处理,然后在其上修饰CTAB@CH3NH3PbI3层,形成具有钙钛矿相的电极;(2)在上述电极表面修饰适配体ATP层,即得。5.根据权利要求4所述的光电化学适配传感器的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,导电基底预处理包括分别用甲苯、丙酮、乙醇、去离子水超声清洗导电基底。6.根据权利要求4所述的光...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐琴沈颖卓管杰马诚舒韵胡效亚
申请(专利权)人:扬州大学
类型:发明
国别省市:

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