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本发明提供了制造石墨烯晶体管101的方法，所述方法包括：(a)提供具有基本平坦的表面的基底，其中所述表面包括绝缘区域110和相邻半导体区域105；(b)在所述表面上形成石墨烯层结构115，其中石墨烯层结构设置在绝缘区域和相邻半导体区域二者的...
该专利属于帕拉格拉夫有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过帕拉格拉夫有限公司授权不得商用。

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