温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种具有改进的结终端延伸区的半导体器件。本发明特别涉及具有这种改进的结终端扩展的二极管。根据本发明的半导体器件包括在第一方向上延伸的有源区、以及围绕有源区的第一电荷类型的结终端扩展(JTE)区，其中，JTE区包括多个场释放子区，每...
该专利属于安世有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安世有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。