具有改进的结终端延伸区的半导体器件制造技术

本发明专利技术涉及一种具有改进的结终端延伸区的半导体器件。本发明专利技术特别涉及具有这种改进的结终端扩展的二极管。根据本发明专利技术的半导体器件包括在第一方向上延伸的有源区、以及围绕有源区的第一电荷类型的结终端扩展(JTE)区，其中，JTE区包括多个场释放子区，每个场释放子区围绕有源区并在垂直于有源区的外周的方向上相互隔开。根据本发明专利技术，多个场释放子区包括第一组场释放子区，其中，对于第一组的每个场释放子区，在其中设置多个第二电荷类型的场释放元件，该场释放元件相对于有源区在外周方向上相互间隔开。互间隔开。互间隔开。

【技术实现步骤摘要】
具有改进的结终端延伸区的半导体器件


[0001]本专利技术涉及一种具有改进的结终端延伸区的半导体器件。本专利技术特别涉及具有这种改进的结终端延伸的二极管。

技术介绍

[0002]诸如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的宽带隙材料已用于实现在高电压下操作的半导体器件。由于它们的大带隙，这些材料系统具有高临界电场，从而允许它们在较高电压下操作而不遭受诸如雪崩击穿的击穿现象。
[0003]然而，尽管理论击穿电压很高，但实际器件显示击穿电压可能显著低于基于临界电场的击穿电压。这些偏差可归因于器件边缘处的场拥挤。
[0004]已知各种解决方案用来减轻与场拥挤相关联的影响。图1A和图1B示出了一种已知的解决方案。在图1A中，示出了一般半导体器件10的顶视图，并且图1B示出了沿着半导体器件10的线a
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a'的截面的侧视图，半导体器件10具有在正面金属接触件2和背面金属接触件3之间在第一方向上延伸的有源区1。该器件还包括围绕有源区1的第一电荷类型的结终端扩展(JTE)区4，其中，JTE区4包括多个场释放子区，每个场释放子区围绕本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：在第一方向上延伸的有源区；围绕所述有源区的第一电荷类型的结终端扩展区，其中，所述结终端扩展区包括多个场释放子区，所述多个场释放子区各自围绕所述有源区且在垂直于所述有源区的外周的方向上相互间隔开，其特征在于，所述多个场释放子区包括第一组场释放子区，其中，对于所述第一组的每个场释放子区，在其中设置多个第二电荷类型的场释放元件，所述场释放元件相对于所述有源区在外周的方向上相互间隔开。2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括背面金属层和在所述第一方向上与所述背面金属层间隔开的正面金属层，其中，所述有源区布置在所述背面金属层和所述正面金属层之间。3.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中，所述多个场释放子区包括第二组场释放子区，其中，对于所述第二组的每个场释放子区，在其中设置围绕所述有源区的所述第二电荷类型的场释放环。4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中，相对于垂直于所述有源区的外周的所述方向，当远离所述有源区移动时，所述场释放元件的宽度以及，如果适用，所述场释放环的宽度增加。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，相对于垂直于所述有源区的外周的所述方向，当远离所述有源区移动时，所述场释放元件的掺杂浓度以及如果适用的所述场释放环的掺杂浓度增加；和/或其中，相对于垂直于所述有源区的外周的所述方向，在远离所述有源区移动时，所述结终端扩展区的掺杂浓度减小；和/或其中，相对于垂直于所述有源区的外周的所述方向，当远离所述有源区移动时，相邻场释放子区之间的间隔增大；和/或其中，相对于垂直于所述有源区的外周的所述方向，当远离所述有源区移动时，所述多个场释放元件沿所述外周的方向的长度增加。6.根据权利要求4
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5中任一项所述的半导体器件，其中，对于所述第一组的至少一个场释放子区，其所有的场释放元件与所述有源区的外周等距，和/或根据权利要求3而言，场释放环的每个段与所述有源区的外周等距。7.根据权利要求4
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6中任一项所述的半导体器件，其中，所述第一组的相邻场释放子区的所述多个场释放元件以交错图案布置。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第一组的一个场释放子区中的相邻场释放元件之间的间距大于或等于所述第一组的相邻场释放子区中的场释放元件沿所述外周的方向的长度。9.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中，所述结终端扩展区具有第一表面和第二表面，其中，所述多个场释放元件和根据权利要求3而言的所述场释放环在所述第一表面和所述第二表面之间沿所述第一方向至少部分地在所述结终端扩展区内部延伸。10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述多个场释放元件和根据权利要求3而言的所述场释放环从所述第一表面朝向所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗曼，
申请(专利权)人：安世有限公司，
类型：发明
国别省市：