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本发明提供一种深沟槽顶部圆角形成的工艺方法,该方法在同一工艺腔室内对晶圆进行原位刻蚀工艺,包括以下步骤:沟槽刻蚀步骤,以形成有图案化的光阻层为掩膜,对晶圆进行刻蚀,在晶圆上形成沟槽;副产物去除步骤,刻蚀去除晶圆的沟槽侧壁和光阻层的图案开口侧...该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种深沟槽顶部圆角形成的工艺方法,该方法在同一工艺腔室内对晶圆进行原位刻蚀工艺,包括以下步骤:沟槽刻蚀步骤,以形成有图案化的光阻层为掩膜,对晶圆进行刻蚀,在晶圆上形成沟槽;副产物去除步骤,刻蚀去除晶圆的沟槽侧壁和光阻层的图案开口侧...