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本申请一种基于多功率微射流激光的SiC切割装置及其切割方法，属于半导体材料加工领域。其主要包括：固定模块，其用于对SiC晶锭进行固定，带动SiC晶锭以预定速度进行自旋转，以及带动SiC晶锭进行步进；以及切割模块，其用于对SiC晶锭进行切割；...
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