一种基于多功率微射流激光的SiC切割装置及其切割方法制造方法及图纸

本申请一种基于多功率微射流激光的SiC切割装置及其切割方法，属于半导体材料加工领域。其主要包括：固定模块，其用于对SiC晶锭进行固定，带动SiC晶锭以预定速度进行自旋转，以及带动SiC晶锭进行步进；以及切割模块，其用于对SiC晶锭进行切割；其中切割模块包括多功率微射流激光头，其用于通过功率大小不同的多个微射流激光，对不同切割阶段的SiC晶锭进行切割。本申请的有益效果是，利用多功率微射流激光头的功率大小不同的多个微射流激光，对不同切割阶段的所述SiC晶锭进行切割，能够保证切割效率的前提下，有效地提高SiC切割品质，降低损伤、提高出品率。提高出品率。提高出品率。

【技术实现步骤摘要】
一种基于多功率微射流激光的SiC切割装置及其切割方法


[0001]本申请涉及本专利技术属于半导体材料的加工
，特别涉及一种基于多功率微射流激光的SiC切割装置及其切割方法。

技术介绍

[0002]SiC作为一种典型的硬脆材料，莫氏硬度为9.2～9.5仅次于金刚石，使得其加工制造过程十分困难。切割作为制造SiC单晶衬底首要关键的工序，其加工质量直接影响到材料切割损失、后续工序的材料去除量、最终加工质量(表面粗糙度和平整度)、产品出品率及加工成本等。随着晶体生长技术的发展和市场的需求持续增加，大直径SiC单晶衬底的需求量越来越大；目前SiC单晶衬底正由6英寸向8英寸过渡，对传统的晶片切割技术带来了严峻的挑战，如何高效率、高质量、低成本、低损伤、高出品率切割SiC单晶，已成为当前SiC单晶衬底加工领域重要的研究方向。
[0003]现有技术中采用微射流激光对SiC晶锭进行切割时，采用的是单一功率微射流激光头。如果激光功率过大，则切割过于粗糙，不利于高质量，低损伤、高出品率地切割SiC单晶；而如果采用的激光功率较小，则切割效率较低，成本较高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于多功率微射流激光的SiC切割装置，包括：固定模块，其用于对SiC晶锭进行固定，带动所述SiC晶锭以预定速度进行自旋转，并带动所述SiC晶锭进行步进；以及切割模块，其用于对所述SiC晶锭进行切割；其特征在于，所述切割模块包括多功率微射流激光头，其用于通过功率大小不同的多个微射流激光，对不同切割阶段的所述SiC晶锭进行切割。2.根据权利要求1所述的基于多功率微射流激光的SiC切割装置，其特征在于，还包括，控制模块，其用于控制所述切割模块进行切割，并且控制所述固定模块进行自旋转和步进。3.根据权利要求2所述的基于多功率微射流激光的SiC切割装置，其特征在于，所述控制模块根据预设的第一规则控制所述固定模块进行步进；所述控制模块包括：激光控制模块，其用于根据预设的第二规则，利用所述多级微射流激光中的一个所述微射流激光对所述SiC晶锭进行切割，并在所述固定模块带动所述SiC晶锭完成步进后，将微射流激光继续进行相应切换。4.根据权利要求1所述的基于多功率微射流激光的SiC切割装置，其特征在于，所述固定模块包括，第一固定子模块，其用于对所述SiC晶锭的籽晶部位进行固定，并带动所述SiC晶锭的籽晶部位进行自旋转和步进...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨森，胡彦飞，郭辉，张晨旭，
申请(专利权)人：西安晟光硅研半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：