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本发明公开了一种生产含硫化合物半导体的方法，包括：在工艺室(3)中为含硫化合物半导体提供至少一个涂覆有前体(4)的基底(5)；在工艺室(3)中对涂层基底(5)进行热处理，其中，在热处理期间，在工艺室(3)中输入包含至少一种气态硫族化合物的工...该专利属于中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种生产含硫化合物半导体的方法，包括：在工艺室(3)中为含硫化合物半导体提供至少一个涂覆有前体(4)的基底(5)；在工艺室(3)中对涂层基底(5)进行热处理，其中，在热处理期间，在工艺室(3)中输入包含至少一种气态硫族化合物的工...