生产含硫化合物半导体的方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种生产含硫化合物半导体的方法，包括：在工艺室(3)中为含硫化合物半导体提供至少一个涂覆有前体(4)的基底(5)；在工艺室(3)中对涂层基底(5)进行热处理，其中，在热处理期间，在工艺室(3)中输入包含至少一种气态硫族化合物的工艺气体；将涂层基底(5)热处理后存在的气体作为废气从工艺室(3)中移除；在气体处理器(13)中冷却废气。其中，在对所述涂层基底(5)进行热处理后的废气中存在的多个气态硫族化合物通过各自转化为液体或固体的形式在时间和空间上彼此从废气中分离。本发明专利技术还提供了一种用于执行上述方法的装置。明还提供了一种用于执行上述方法的装置。明还提供了一种用于执行上述方法的装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】生产含硫化合物半导体的方法和装置


[0001]本专利技术涉及薄膜太阳能电池制造
，尤其涉及的是一种生产含硫化合物半导体的方法和装置，其用作薄膜太阳能电池中光电转换的吸收体。

技术介绍

[0002]在薄膜太阳能电池中，用于光电转换的吸收体的半导体材料的选择应确保入射的太阳光能够高效地转换为电流。由于其物理性质和技术可管理性，由非晶、微晶或多晶硅、碲化镉(CdTe)、砷化镓(GaAs)、铜铟/二硒化镓/二硫化物/二硫化物(Cu(In,Ga)(S,Se)2)制成的吸收体，铜
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锌
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锡
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磺基硒化物和有机半导体尤其适用。属于黄铜矿化合物半导体组的戊烯基半导体Cu(In,Ga)(S,Se)2在薄膜太阳能电池的工业系列生产中具有特殊的重要性。
[0003]含硫化合物半导体的生产，特别是由Cu(In,Ga)(S,Se)2制成的吸收体的生产，其能通过两阶段工艺制成，此两阶段工艺是已知工艺，例如，可从J.Palm等人所著的，“应用大面积薄膜前体同时快速硒化和硫化的CIS模块中试加工(CIS m本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种生产含硫化合物半导体的方法，其特征在于，所述方法包括：在工艺室(3)中设置至少一个基底(5)，所述基底上涂覆含硫化合物半导体的前体(4)，对工艺室(3)中的涂层基底进行热处理，在热处理过程中，向工艺室(3)中输入包含至少一种气态硫族化合物的工艺气体；将涂层基底热处理后的工艺气体作为废气从工艺室(3)中排出，在气体处理器(13)中冷却废气，其中，在对涂层基底进行热处理后，废气中存在的多个气态硫族化合物转化为液体或固体形式从废气中分离。2.根据权利要求1所述的生产含硫化合物半导体的方法，其特征在于：所述废气中至少99％的硫族化合物能转化为液体或固体形式。3.根据权利要求1或2所述的生产含硫化合物半导体的方法，其特征在于：废气冷却期间，从废气中分离出的至少一种硫族化合物从气体处理器(13)中排出。4.根据权利要求1至3任一权利要求所述的生产含硫化合物半导体的方法，其特征在于：废气冷却后，从废气中分离的至少一种硫族化合物或者分离后的废气从气体处理器(13)排出。5.根据权利要求1至4任一权利要求所述的生产含硫化合物半导体的方法，其特征在于：对从废气中分离的至少一种硫族化合物进行蒸发。6.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的生产含硫化合物半导体的方法，其特征在于：从废气中分离出至少一种硫族化合物输入到至少一个缓冲罐(16)中。7.根据权利要求5或6中任一权利要求所述的生产含硫化合物半导体的方法，其特征在于：从废气中分离出至少一种硫族化合物以气体形式输入到工艺室(3)。8.根据权利要求1至7任一权利要求所述的生产含硫化合物半导体的方法，其特征在于：废气中包含的气态水通过转化为液体或固体的形式从废气中存在的至少一种硫族化合物中分离。9.根据权利要求1至8任一权利要求所述的生产含硫化合物半导体的方法，其特征在于：从废气中分离出的几种硫族...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：