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本发明属于锗单晶生长技术领域，具体涉及一种零位错P型锗单晶制备方法，包括缩颈生长，所述缩颈生长的方法为：向上缓慢提拉籽晶，控制提拉速度8～10mm/h，保持单晶棒直径在2～12mm，采用逐渐放大直径的缩颈生长方式，持续提拉生长长度800～1...该专利属于云南中科鑫圆晶体材料有限公司云南鑫耀半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过云南中科鑫圆晶体材料有限公司云南鑫耀半导体材料有限公司授权不得商用。