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本发明涉及一种图像传感器及其制造方法。所以图像传感器中,背面通道结构包括焊盘通道和包围所述像素区域的环通道,所述环通道从所述衬底背面向下延伸以露出嵌设于衬底正面且包围像素区域的第一沟槽隔离,所述钝化层覆盖所述环通道的内表面,即,位于所述环通...该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种图像传感器及其制造方法。所以图像传感器中,背面通道结构包括焊盘通道和包围所述像素区域的环通道,所述环通道从所述衬底背面向下延伸以露出嵌设于衬底正面且包围像素区域的第一沟槽隔离,所述钝化层覆盖所述环通道的内表面,即,位于所述环通...