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本申请提供一种半导体器件及其制造方法，提供衬底，衬底上具有依次层叠的第一源漏层、沟道层和第二源漏层，沟道层外围具有在水平方向上包围沟道层的栅介质层和栅极结构，在栅极结构的外侧壁形成间隔层，对栅极结构进行刻蚀，以减少栅极结构的厚度，形成覆盖栅...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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