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本申请提供嵌入式闪存器件结构的制造方法，包括：沉积浮栅氮化硅层，刻蚀去除第一窗口区域的浮栅氮化硅层，沉积第一氧化硅层去除第二窗口区域的第一氧化硅层形成第一侧墙，刻蚀控制栅多晶硅和介质层，沉积第一氮化硅层形成第二侧墙，沉积第二层氧化硅、第二层...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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