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本发明涉及具有沟槽形选择栅极的分栅闪存单元，揭示了用于分栅闪存单元的结构和形成用于分栅闪存单元的结构的方法。在半导体基板中形成沟槽。在半导体基板中形成第一和第二源极/漏极区域。第一栅极横向位于沟槽和第二源极/漏极区域之间，且第二栅极包括沟槽...
该专利属于新加坡商格罗方德半导体私人有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新加坡商格罗方德半导体私人有限公司授权不得商用。

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