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本发明提供一种氮化硅膜蚀刻组合物、使用该组合物蚀刻氮化硅膜的方法以及半导体器件的制造方法。具体地说，根据本发明，相对于氧化硅膜氮化硅膜可以以高选择比率稳定地被蚀刻，并且当该组合物应用于在高温下的蚀刻工艺和半导体制造工艺时，不仅不会产生析出物...
该专利属于易安爱富科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过易安爱富科技有限公司授权不得商用。

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