氮化硅膜蚀刻组合物和使用其的蚀刻方法技术

本发明专利技术提供一种氮化硅膜蚀刻组合物、使用该组合物蚀刻氮化硅膜的方法以及半导体器件的制造方法。具体地说，根据本发明专利技术，相对于氧化硅膜氮化硅膜可以以高选择比率稳定地被蚀刻，并且当该组合物应用于在高温下的蚀刻工艺和半导体制造工艺时，不仅不会产生析出物，而且不会发生氧化硅膜的厚度反而增加的异常生长，从而能够最小化缺陷和可靠性的降低。从而能够最小化缺陷和可靠性的降低。

【技术实现步骤摘要】
氮化硅膜蚀刻组合物和使用其的蚀刻方法


[0001]以下公开内容涉及氮化硅膜(silicon nitride)蚀刻组合物、使用该组合物的氮化硅膜的蚀刻方法以及半导体器件的制造方法。

技术介绍

[0002]氧化硅膜(SiO2)和氮化硅膜(SiN
x
)是半导体制造工艺中使用的代表性绝缘膜。其中，氧化硅膜用作半导体器件中的盖层、间隔层或硬掩模层。氮化硅膜和氮化硅膜可单独使用，或将一层以上的氧化硅膜和一层以上的氮化硅膜交替层压的方式来使用。
[0003]为了氮化硅膜的蚀刻，使用由高纯度磷酸和去离子水在约160℃的高温下形成的磷酸水溶液。然而，相比于氧化硅膜，磷酸水溶液对于氮化硅膜具有30 或更低的低蚀刻选择比率，因此难以将磷酸水溶液应用于氮化硅膜和氧化硅膜的层压结构。此外，由于包括磷酸的氮化硅膜蚀刻组合物在高温下通过水分蒸发持续浓缩，从而影响氮化物膜和氧化物膜的蚀刻比率，因此应持续供应纯水 (去离子水)。然而，即使在将要供应的纯水量稍微改变的情况下，在去除氮化硅膜时也可能导致缺陷。
[0004]为了解决该问题并提高相比氧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化硅膜蚀刻组合物，包括：磷酸、硅酸季铵盐、由以下化学式1表示的硅化合物和残余量的水：[化学式1]：其中，R1为C1‑
20
氨基烷基，且烷基的
‑
CH2‑
能够替换为
‑
NR'
‑
或
‑
O
‑
，其中R'为氢、C1‑7烷基、C1‑7羟基烷基或C1‑7氨基烷基；R2至R4彼此独立地为氢、卤素、氨基、氰基、羟基、C1‑
20
烷氧基、C1‑
20
烷基、C1‑
20
氨基烷基或其中R
11
至R
14
彼此独立地为氢、C1‑
20
烷基或C1‑
20
羟基烷基；L1为C1‑
20
亚烷基，所述亚烷基的
‑
CH2‑
能够替换为
‑
O
‑
，
‑
NR
”‑
或其组合，其中R”为氢或C1‑7烷基；a是选自0至10的整数；且b是选自1至3的整数。2.根据权利要求1所述的氮化硅蚀刻组合物，其特征在于，在化学式1中，R1为C1‑7氨基烷基，所述烷基的
‑
CH2‑
能够替换为
‑
NR'，其中R'为氢或C1‑3烷基。3.根据权利要求2所述的氮化硅蚀刻组合物，其特征在于，在化学式1中，R2至R4彼此独立地为氢、卤素、氨基、羟基、C1‑7烷氧基、C1‑7烷基、C1‑7氨基烷基或其中R
11
至R
14
彼此独立地为氢、C1‑7烷基或C1‑7羟基烷基；并且，L1为C1‑7亚烷基，所述亚烷基的
‑
CH2‑
能够替换为
‑
O
‑
。4.根据权利要求1所述的氮化硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：金东铉，朴贤宇，洪性俊，李明镐，宋明根，金薰植，高在中，李鸣仪，黄俊赫，
申请(专利权)人：易安爱富科技有限公司，
类型：发明
国别省市：