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本发明公开了一种单分子层表面改性的InGaAs纳米线光电探测器及制备方法，该光电探测器的结构从下至上依次是：表面有SiO2氧化层的掺硼p型硅片作为器件的衬底；单分子层表面改性处理的InGaAs纳米线作为器件的光吸收和电子传输沟道；纳米线两侧...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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