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一种V3S4@C复合材料及其制备方法与应用技术
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文档序号:32832681
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本发明公开一种V3S4@C复合材料及其制备方法与应用。所述复合材料包括一维棒状结构的碳基体以及原位生长在该碳基体表面上的V3S4成分的纳米片。所述制备方法包括如下步骤:(1)将含有V2C MXene材料、对苯二甲酸的溶液进行水热反应,分离出...
该专利属于济南大学所有,仅供学习研究参考,未经过济南大学授权不得商用。
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