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本发明公开了一种在逻辑工艺中集成高压CMOS的工艺集成方法，包括：步骤一、形成高压CMOS的第一沟道区；步骤二、形成高压CMOS的第一漂移区；步骤三、进行第一次炉管热推阱；步骤四、采用第一次热氧化工艺形成高压栅氧化层；步骤五、形成浅沟槽隔离...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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