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本发明公开了一种气体传感器的制作方法，该制作方法包括：对基板进行部分氧化，使被氧化的部分成为气体敏感部；其中，基板由含有金属元素的半导体材料制成，气体敏感部与基板的未被氧化的部分之间形成异质结。本发明解决了现有的气体传感器的气敏层容易脱落的...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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