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本发明公开一种提高硅片氧化膜腐蚀速率的腐蚀装置及方法，涉及硅片加工技术领域，包括加工箱，加工箱的两侧通过气缸固定连接有盖板，且加工箱的内部固定连接有加工池，盖板的下表面固定连接有分隔架，分隔架的下表面转动连接有原料架，原料架的侧面安装有若干...
该专利属于杭州中欣晶圆半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州中欣晶圆半导体股份有限公司授权不得商用。

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