一种提高硅片氧化膜腐蚀速率的腐蚀装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种提高硅片氧化膜腐蚀速率的腐蚀装置及方法，涉及硅片加工技术领域，包括加工箱，加工箱的两侧通过气缸固定连接有盖板，且加工箱的内部固定连接有加工池，盖板的下表面固定连接有分隔架，分隔架的下表面转动连接有原料架，原料架的侧面安装有若干个原料卡板，原料架的内部安装有与若干个原料卡板相对应的锁紧架，分隔架的内部安装有水平调整结构，水平调整结构的输出端安装有驱动调整结构。本发明专利技术通过驱动调整结构，可以将装置在锁紧硅片和带动原料价旋转之间进行切换，并且在切换成旋转状态后，可以将硅片与加工池之间的清洗液之间发生旋转，从而可以实现扰动的目的，进而可以方便调整硅片氧化膜的腐蚀速率。进而可以方便调整硅片氧化膜的腐蚀速率。进而可以方便调整硅片氧化膜的腐蚀速率。

【技术实现步骤摘要】
一种提高硅片氧化膜腐蚀速率的腐蚀装置及方法


[0001]本专利技术涉及硅片加工
，具体为一种提高硅片氧化膜腐蚀速率的腐蚀装置及方法。

技术介绍

[0002]在硅片的加工过程中，需要通过清洗工艺将硅片的氧化膜进行去除，在清洗工艺中，通常采用各种酸充当清洗液对氧化膜进行反应，在清洗的过程中，通过控制清洗液的温度和扰动程度，从而可以控制氧化膜的腐蚀速率。
[0003]经检索，中国专利公开了一种用于硅片表面制样的表面处理及腐蚀的工艺和装置（公开号：CN103165407B），该专利的工艺中含有臭氧进入密封的腐蚀腔体内，与硅片表面接触，将硅片表面氧化成致密的氧化膜工序。装置中包括：腐蚀腔体(1)、盖罩(2)，腔体内设有硅片台(4)及通臭氧或氮气入口(1
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1)、由氮气作为载体的HF气体入口(1
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2)、以及排气孔(1
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4)，还包括外设的HF容器(5)，所述的通臭氧或氮气的入口(1
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1)串接阀门V2、流量调节阀MFC1，MFC1的另一端接三通，三通的一端接氮气管路，三本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高硅片氧化膜腐蚀速率的腐蚀装置，包括加工箱（1），所述加工箱（1）的两侧均固定连接有若干个气缸（2），且加工箱（1）的内部固定连接有加工池（9），若干个所述气缸（2）的输出端之间固定连接有盖板（3），其特征在于，所述盖板（3）的下表面固定连接有分隔架（4），所述分隔架（4）的下表面转动连接有延伸至加工池（9）内部的原料架（7），所述原料架（7）的侧面安装有若干个原料卡板（8），且原料架（7）的内部安装有与若干个原料卡板（8）相对应的锁紧架（10），所述分隔架（4）的内部安装有水平调整结构（5），所述水平调整结构（5）的输出端安装有驱动调整结构（6）。2.根据权利要求1所述的提高硅片氧化膜腐蚀速率的腐蚀装置，其特征在于，该腐蚀装置还包括若干个支撑架（15），所述支撑架（15）包括组装板（151），所述组装板（151）的侧面固定连接有若干个竖直分布的衬托板（152），且组装板（151）的侧面固定连接有把手（154），所述衬托板（152）的上表面均嵌入连接有对应原料卡板（8）连接的吸附件（153）。3.根据权利要求1所述的提高硅片氧化膜腐蚀速率的腐蚀装置，其特征在于，所述驱动调整结构（6）包括与水平调整结构（5）输出端相连接的液压杆，液压杆的输出端朝下且固定连接有驱动电机（61），所述驱动电机（61）的输出端固定连接有第三驱动轴（62），所述第三驱动轴（62）的外侧滑动连接有连接轴（63），且第三驱动轴（62）与连接轴（63）之间固定连接有第一弹性件（64）。4.根据权利要求3所述的提高硅片氧化膜腐蚀速率的腐蚀装置，其特征在于，所述驱动调整结构（6）还包括第一驱动轴（66）和第二驱动轴（67），所述第一驱动轴（66）与原料架（7）固定连接，所述第二驱动轴（67）与锁紧架（10）相连接，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：高洪涛，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：