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本发明提供一种具有沟槽结构的垂直型氮化镓肖特基二极管及其制备方法。本发明氮化镓结势垒肖特基二极管包括：重掺杂N型氮化镓衬底区；轻掺杂N型氮化镓漂移区，位于重掺杂N型氮化镓衬底区上方；轻掺杂N型氮化镓漂移区上设置有沟槽；沟槽底面和侧壁包覆有P...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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