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本申请提供了一种增加金刚石在碳化硅衬底上成核密度的方法，将碳化硅衬底放置在MPCVD设备的生长腔内、通入H2和CH4进行金刚石薄膜生长之前，通过对碳化硅衬底的生长面进行粗糙化处理和清洗后，使碳化硅衬底生长面形成粗糙面，基于种子效应、尖锐凸表...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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