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提供一种特性的不均匀小的半导体装置。在该半导体装置中，晶体管包括：氧化物半导体；氧化物半导体上的第一导电体及第二导电体；第一导电体上的第一绝缘体；第二导电体上的第二绝缘体；配置在第一绝缘体及第二绝缘体上且其中以重叠于第一导电体与第二导电体间...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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