半导体装置制造方法及图纸

提供一种特性的不均匀小的半导体装置。在该半导体装置中，晶体管包括：氧化物半导体；氧化物半导体上的第一导电体及第二导电体；第一导电体上的第一绝缘体；第二导电体上的第二绝缘体；配置在第一绝缘体及第二绝缘体上且其中以重叠于第一导电体与第二导电体间的区域的方式形成第一开口的第三绝缘体；氧化物半导体上且配置在第一导电体与第二导电体间的第四绝缘体；以及第四绝缘体上的第三导电体，电容器包括：第二导电体；形成有到达第二导电体的第二开口的第三绝缘体；配置在第二开口内部的第五绝缘体；以及第五绝缘体上的第四导电体，插头穿过第一绝缘体、第三绝缘体、第一导电体及氧化物半导体，插头与第一导电体电连接，第一绝缘体及第二绝缘体是具有非晶结构的金属氧化物。氧化物。氧化物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种晶体管、半导体装置及电子设备。另外，本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置的制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种半导体晶片及模块。
[0002]注意，在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。除了晶体管等的半导体元件之外，半导体电路、运算装置或存储装置也是半导体装置的一个方式。显示装置(液晶显示装置、发光显示装置等)、投影装置、照明装置、电光装置、蓄电装置、存储装置、半导体电路、摄像装置、电子设备等有时包括半导体装置。
[0003]注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。

技术介绍

[0004]近年来，已对半导体装置进行开发，主要使用LSI、CPU、存储器。CPU是包括加工半导体晶片而被芯片化的半导体集本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种包括晶体管、电容器及插头的半导体装置，其中，所述晶体管包括：氧化物半导体；所述氧化物半导体上的第一导电体及第二导电体；所述第一导电体上的第一绝缘体；所述第二导电体上的第二绝缘体；配置在所述第一绝缘体及所述第二绝缘体上且其中以重叠于所述第一导电体与所述第二导电体间的区域的方式形成第一开口的第三绝缘体；所述氧化物半导体上且配置在所述第一导电体与所述第二导电体间的第四绝缘体；以及所述第四绝缘体上的第三导电体，所述电容器包括：所述第二导电体；形成有到达所述第二导电体的第二开口的所述第三绝缘体；配置在所述第二开口内部的第五绝缘体；以及所述第五绝缘体上的第四导电体，所述插头穿过所述第一绝缘体、所述第三绝缘体、所述第一导电体及所述氧化物半导体，所述插头与所述第一导电体电连接，并且，所述第一绝缘体及所述第二绝缘体是具有非晶结构的金属氧化物。2.一种包括晶体管、电容器及插头的半导体装置，其中，所述晶体管包括：氧化物半导体；所述氧化物半导体上的第一导电体及第二导电体；覆盖所述第一导电体及所述第二导电体且其中以重叠于所述第一导电体与所述第二导电体间的区域的方式形成第一开口的第一绝缘体；配置在所述第一绝缘体上且其中以重叠于所述第一导电体与所述第二导电体间的区域的方式形成第二开口的第二绝缘体；所述氧化物半导体上且配置在所述第一导电体与所述第二导电体间的第三绝缘体；以及所述第三绝缘体上的第三导电体，所述电容器包括：所述第二导电体；形成有到达所述第二导电体的第三开口的所述第一绝缘体及所述第二绝缘体；配置在所述第三开口内部的第四绝缘体；以及所述第四绝缘体上的第四导电体，所述插头穿过所述第一绝缘体、所述第二绝缘体、所述第一导电体及所述氧化物半导体，所述插头与所述第一导电体电连接，
并且，所述第一绝缘体是具有非晶结构的金属氧化物。3.一种包括晶体管、电容器及插头的半导体装置，其中，所述晶体管包括：氧化物半导体；所述氧化物半导体上的第一导电体及第二导电体；所述第一导电体上的第一绝缘体；所述第二导电体上的第二绝缘体；覆盖所述第一绝缘体及所述第二绝缘体且其中以重叠于所述第一导电体与所述第二导电体间的区域的方式形成第一开口的第三绝缘体；配置在所述第三绝缘体上且其中以重叠于所述第一导电体与所述第二导电体间的区域的方式形成第二开口的第四绝缘体；所述氧化物半导体上且配置在所述第一导电体与所述第二导电体间的区域的第五绝缘体；以及所述第五绝缘体上的第三导电体，所述电容器包括：所述第二导电体；形成有到达所述第二导电体的第三开口的第二绝缘体、所述第三绝缘体及所述第四绝缘体；配置在所述第三开口内部的第六绝缘体；以及所述第六绝缘体上的第四导电体，所述插头穿过所述第一绝缘体、所述第三绝缘体、所述第四绝缘体、所述第一导电体及所述氧化物半导体，所述插头与所述第一导电体电连接，并且，所述第一绝缘体、所述第二绝缘体及所述第三绝缘体是具有非晶结构的金属氧化物。4.根据权利要求3所述的半导体装置，还包括第七绝缘体及第八绝缘体，其中所述第七绝缘体配置在所述氧化物半导体的下方，所述第八绝缘体与所述第四绝缘体的顶面、所述第三导电体的顶面及所述第四导电体的顶面接触，并且所述第七绝缘体及所述第八绝缘体是具有非晶结构的金属氧化物。5.根据权利要求4所述的半导体装置，还包括第九绝缘体，其中所述第九绝缘体覆盖所述第八绝缘体且在不与所述第五绝缘体重叠的区域中与所述第七绝缘体的顶面接触，并且所述第九绝缘体是具有非晶结构的金属氧化物。6.根据权利要求5所述的半导体装置，还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，安藤善范，方堂凉太，广濑贵史，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：