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本发明提出了一种蚀刻背镀DBR层的方法，所述方法包括：将晶圆背镀DBR层朝上，对所述DBR层进行气体蚀刻后形成凹凸不平的DBR层；将气体蚀刻后的晶圆进行液体蚀刻后形成剥离DBR层的晶圆。本发明所提出的蚀刻背镀DBR层的方法，工序流程简单方便...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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