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本发明实施例提供一种半导体结构的制作方法，包括：提供基底；在基底上形成具有第一掩膜图案的第一掩膜层，以第一掩膜层为掩膜刻蚀基底形成有源区；在有源区上形成若干分立的位线；在相邻位线之间形成牺牲层；在牺牲层上形成具有第二掩膜图案的第二掩膜层，且...
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